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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。922610+￥11.5980100+￥11.0181500+￥10.63151000+￥10.61222000+￥10.53495000+￥10.43827500+￥10.360910000+￥10.3222 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 300V 110A 3Pin(3+Tab) TO-220AB24181+￥49.991910+￥47.1236100+￥44.9927250+￥44.6649500+￥44.33711000+￥43.96832500+￥43.64055000+￥43.4356 -
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品类: IGBT晶体管描述: INTERNATIONAL RECTIFIER IRGB4615DPBF 双极性晶体管, N 通道, 600V313310+￥9.8004100+￥9.3104500+￥8.98371000+￥8.96742000+￥8.90205000+￥8.82047500+￥8.755010000+￥8.7224 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 11A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube821610+￥7.0884100+￥6.7340500+￥6.49771000+￥6.48592000+￥6.43865000+￥6.37967500+￥6.332310000+￥6.3087 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak13535+￥23.582550+￥22.5747200+￥22.0104500+￥21.86931000+￥21.72822500+￥21.56695000+￥21.46617500+￥21.3654 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube139610+￥8.7504100+￥8.3129500+￥8.02121000+￥8.00662000+￥7.94835000+￥7.87547500+￥7.817010000+￥7.7879 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 330V 28A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak27895+￥15.554050+￥14.8893200+￥14.5170500+￥14.42401000+￥14.33092500+￥14.22465000+￥14.15817500+￥14.0916 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1200V 16A 138000mW 3Pin(3+Tab) TO-22096275+￥11.773750+￥11.2706200+￥10.9888500+￥10.91841000+￥10.84792500+￥10.76745000+￥10.71717500+￥10.6668 -
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品类: IGBT晶体管描述: N沟道20A - 600V - TO- 220的PowerMESH IGBT N-CHANNEL 20A - 600V - TO-220 PowerMesh IGBT9821 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT; IGBT+FWD; Molded; TO-220AB Case; 20A Collector; 75W (Max.); 600V; +/-20V47271+￥44.038310+￥41.5116100+￥39.6345250+￥39.3457500+￥39.05701000+￥38.73212500+￥38.44335000+￥38.2628 -
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT 19安培， 350伏特N沟道TO- 220和D- 2PAK Ignition IGBT 19 Amps, 350 Volts N−Channel TO−220 and D-2PAK12775+￥4.317325+￥3.997550+￥3.7736100+￥3.6777500+￥3.61372500+￥3.53385000+￥3.501810000+￥3.4538 -
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT 15安培， 350伏特N沟道TO- 220和D2PAK Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK2610 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 6.2A 3Pin(3+Tab) TO-220389110+￥9.0696100+￥8.6161500+￥8.31381000+￥8.29872000+￥8.23825000+￥8.16267500+￥8.102210000+￥8.0719 -
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品类: IGBT晶体管描述: 20A ， 360V N沟道逻辑电平，电压钳位的IGBT 20A, 360V N-Channel, Logic Level, Voltage Clamping IGBTs9688 -
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品类: IGBT晶体管描述: 绝缘栅双极晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor992110+￥6.3660100+￥6.0477500+￥5.83551000+￥5.82492000+￥5.78255000+￥5.72947500+￥5.687010000+￥5.6657 -
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品类: IGBT晶体管描述: 绝缘栅双极晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor73645+￥4.218825+￥3.906350+￥3.6875100+￥3.5938500+￥3.53132500+￥3.45315000+￥3.421910000+￥3.3750 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 30000mW 3Pin(3+Tab) TO-220NIS45471+￥228.476310+￥222.516050+￥217.9465100+￥216.3571200+￥215.1650500+￥213.57561000+￥212.58232000+￥211.5889 -
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品类: IGBT晶体管描述: ON Semiconductor FGP3040G2_F085 N沟道 IGBT, 41 A, Vce=400 V, 3引脚 TO-220封装565410+￥7.8120100+￥7.4214500+￥7.16101000+￥7.14802000+￥7.09595000+￥7.03087500+￥6.978710000+￥6.9527
